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什么是二次離子質(zhì)譜(SIMS)技術?

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2024-01-08
核心提示: 二次離子質(zhì)譜技術是一種高空間分辨率、高精度、高靈敏度的分析方法。它作為目前最為先進的微區(qū)分析手段,被應用在備受關注
 二次離子質(zhì)譜技術是一種高空間分辨率、高精度、高靈敏度的分析方法。它作為目前最為先進的微區(qū)分析手段,被應用在備受關注的半導體、材料科學、電子等領域,為了大家更加了解二次離子質(zhì)譜技術,今天咱們就從二次離子質(zhì)譜的基本原理、儀器類型、二次離子質(zhì)譜的主要應用和特點等幾個方面進行分享。

 

二次離子質(zhì)譜( Secondary-ion mass spectrometry,SIMS) 是一種固體原位微區(qū)分析技術,具有高分辨率、高精度、高靈敏等特征,廣泛應用于地球化學、天體化學、半導體工業(yè)、生物等研究中。本文主要闡明了SIMS 技術的原理、儀器類型,簡要介紹了其主要應用,分析了其特點。

二次離子質(zhì)譜儀(Secondary-ion mass spectrometry,SIMS)也稱離子探針,是一種使用離子束轟擊的方式使樣品電離,進而分析樣品元素同位素組成和豐度的儀器,是一種高空間分辨率、高精度、高靈敏度的分析方法。檢出限一般為ppm-ppb級,空間分辨率可達亞微米級,深度分辨率可達納米級。被廣泛應用于化學、物理學、生物學、材料科學、電子等領域。

 

SIMS分析技術

 

一定能量的離子打到固體表面會引起表面原子、分子或原子團的二次發(fā)射,即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主,其中有一部分帶有正、負電荷,這就是二次離子。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜[1,2]。

離子探針實際上就是固體質(zhì)譜儀,它由兩部分組成:主離子源和二次離子質(zhì)譜分析儀。常見的主離子源有Ar+、Xe+、O-、O2+、Cs+、Ga+……從離子源引出的帶電離子如Cs+、或Ga+等被加速至keV~MeV能量,被聚焦后轟擊樣品表面。

高能離子進入樣品后,一部分入射離子被大角度反彈出射,即發(fā)生背散射,而另一部分則可以深入到多個原子層,與晶格原子發(fā)生彈性或非彈性碰撞。這一過程中,離子所帶能量部分或全部轉(zhuǎn)移至樣品原子,使其發(fā)生晶格移位、激發(fā)或引起化學反應。經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞,表面的原子或原子團就有可能吸收能量而從表面出射,這一過程稱為離子濺射。

濺射出的粒子大部分為電中性,只有小部分是帶電的離子、分子或團簇。攜帶了樣品表面成分信息的二次離子出射之后,被引出電場加速后進入分析系統(tǒng)并被探測器所記錄。經(jīng)過計算機分析,就可以得到關于表面信息的能譜。譜中的計數(shù)與樣品的各種成分原子濃度有關,通過與標準樣品的對比,就可以得到待測樣品中的原子濃度。

發(fā)生離子濺射時,描述濺射現(xiàn)象的主要參數(shù)是濺射閾能和濺射產(chǎn)額。濺射閾能指的是開始出現(xiàn)濺射時,初級離子所需的能量。濺射產(chǎn)額決定接收到的二次離子的多少,它與入射離子能量、入射角度、原子序數(shù)均有一定的關系,并與靶材晶格取向有關。

 

SIMS儀器類型

 

根據(jù)微區(qū)分析能力和數(shù)據(jù)處理方式,可以將SIMS分為三種類型:

(1)非成像型離子探針。用于側向均勻分布樣品的縱向剖析或?qū)悠纷钔獗砻鎸舆M行特殊研究;

(2)掃描成像型離子探針。利用束斑直徑小于10Lm的一次離子束在樣品表面作電視形式的光柵掃描,實現(xiàn)成像和元素分析;

(3)直接成像型離子顯微鏡。以較寬(5~300Lm)的一次離子束為激發(fā)源,用一組離子光學透鏡獲得點對點的顯微功能。

根據(jù)一次束能量和分析縱向,二次離子質(zhì)譜可分為靜態(tài)二次離子質(zhì)譜(SSIMS)和動態(tài)二次離子質(zhì)譜(DSIMS)兩種。SSISM一般都采用流強較低的初級離子束,轟擊僅影響表面原子層,對樣品的損傷可忽略不計,被稱為是靜態(tài)二次離子質(zhì)譜。相反,DSISM則一般使用流強較大的初級離子束,將樣品原子逐層剝離,從而實現(xiàn)深層原子濃度的測量,因此也被稱為動態(tài)二次離子質(zhì)譜。

 

二次離子質(zhì)譜的主要應用

 

根據(jù)工作模式的不同,二次離子質(zhì)譜要有3個方面的應用,分別是表面質(zhì)譜、表面成像和深度剖析。

1)元素及同位素分析

2)表面質(zhì)譜

3)表面成像

4)深度剖析

 

SIMS的特點

 

SIMS的主要優(yōu)點:

(1)在超高真空下(<10-7Pa)進行測試,可以確保得到樣品表層的真實信息;

(2)原則上可以完成周期表中幾乎所有元素的低濃度半定量分析;

(3)可檢測同位素;

(4)可分析化合物;

(5)具有高的空間分辨率;

(6)可逐層剝離實現(xiàn)各成分的縱向剖析,連續(xù)研究實現(xiàn)信息縱向大約為一個原子層;

(7)檢測靈敏度高。

 

當然,SIMS自身也存在一定的局限性,主要在于:

(1)分析絕緣樣品必須經(jīng)過特殊處理;

(2)樣品組成的不均勻性和樣品表面的光滑程度對分析結果影響很大;

(3)濺射出的樣品物質(zhì)在鄰近的機械零件和離子光學部件上的沉積會產(chǎn)生嚴重的記憶效應。

 

結語

二次離子質(zhì)譜(SIMS)技術是一種高空間分辨率、高精度、高靈敏度的分析方法。它作為目前最為先進的微區(qū)分析手段,已經(jīng)得到了令人矚目的發(fā)展。隨著SIMS技術的不斷發(fā)展,在化學、物理學、生物學、材料科學、電子、地球科學方面的應用越來越廣泛,對SIMS技術的應用的探究也越來越多。相信其將在地球科學研究方面做出重大的貢獻。

編輯:songjiajie2010

 
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